試驗目的

試驗目的
高溫試驗的目的是考核高溫對電子元器件的影響，確定電子元器件在高溫條件下工作和儲存的適應性。
試驗原理
有嚴重缺陷的電子元器件處于非平衡態，這是一種不穩定態，由非平衡態向平衡態的過渡過程既是誘發有嚴重缺陷產品失效的過程，也是促使產品從非穩定態向穩定態的過渡過程。這種過渡一般情況下是物理變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式,隨溫度成指數增加。高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間。所以該實驗又可以視為一項穩定產品性能的工藝。
電子元器件在髙溫環境中，其冷卻條件惡化，散熱困難,將使器件的電參數發生明顯變化或絕緣性能下降。如：在高溫條件下，存在于半導體器件芯片表面及管殼內的雜質加速反應，促使沾污嚴重的產品加速退化。此外,高溫條件對芯片的體內缺陷、硅氧化層和鋁膜中的缺陷，以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗效果。
試驗設備
試驗設備主要有髙溫箱（高溫室)和溫度計。高溫箱或高溫室提供一定的高溫場所 (環境）;溫度計用于測景和監控試驗溫度。還要有測量電性能參數的電測量系統。
試驗程序和方法
①初始測量：將試驗樣品放置在正常大氣條件下，使之達到溫度穩定。然后按有關標準規定對試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
②試驗：按有關標準規定，選定髙溫溫度及加高溫時間,采用下述方法之一進行試
驗。
對帶溫度沖擊的試驗：先將高溫箱溫度調到規定值，再將試樣放入箱內;試驗時間從箱溫恢復到規定值時算起。
對不帶溫度沖擊的試驗：先將試樣放入箱內，再把箱溫調到規定值;試驗時間從箱溫達到規定值時算起。
③試驗過程屮是否加負荷：這應按有關標準規定進行。
④中間測量：當試樣處于高溫時，按有關標準規定對其試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
⑤恢復：試驗結束后，將試樣從箱內取出。在正常大氣條件下再恢復1?2小時。
⑥最后測童：按有關標準規定，對試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
例如，半導體集成電路總技術條件規定;將一、二類電路分別放在高溫箱中試驗，其一類產品的試驗溫度為（125土3)eC;二類產品的試驗溫度為(85士2)C;恒溫時間為30分鐘。在這些條件下測量電參數，應符合產品標準的規定。又如，微電路溫度應力范圍為 75°C?400°C,試驗時間為24小時以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環境中，即溫度為(25±10)°C、氣壓為86?106kPa的環境中放置一定時間。多數的情況下，要求試驗后在規定的時間內完成終點測試。

試驗目的

首頁

電話

短信

聯系